近日有報道，三星位于平澤的NAND Flash晶圓廠出現(xiàn)停電故障，致三星6000片晶圓報廢。三星官方最新表示承認發(fā)生停電事故。

       此次事故中受損的晶圓相當于3月份三星整體NAND閃存產(chǎn)量的11%，也是全球NAND閃存供應量的3.5%。

     受此影響，行業(yè)分析人士預計，下周開始短期內(nèi)NAND Flash價格將會上漲。

作為全球最大的NAND存儲顆粒制造商，三星在不斷投資建造新的fab來加大內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。繼去年投入數(shù)十億美元之后，今年3月初三星又有一個數(shù)十億的fab項目被公布。這個名為P2 Project的新fab選址于平澤市，靠近三星原有的fab。

      新fab還沒有具體公布是生產(chǎn)DRAM（內(nèi)存）還是NAND（閃存），但據(jù)稱要比去年開工的fab規(guī)模更大，所以很可能兩種芯片都會生產(chǎn)，目前新fab已經(jīng)開始進行基建工程。

       關于停電事故，三星有事故保險，因此停電事故對其影響有限。三星的內(nèi)存晶圓廠都投了事故保險，此次意外停電可獲得一筆保險賠償，因此對三星自身的利潤影響不大。

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來源丨中國半導體論壇